[F*U*S*A*|KåMµ§]
Who will define me?
http://www.nobelprize.org/nobel_prizes/physics/laureates/2014/press.html
O prêmio foi entregue para Isamu Akasaki (Meijo University, Nagoya, Japão e Nagoya University, Japão), Hiroshi Amano (Nagoya University, Japão) e Shuji Nakamura (University of California, Santa Barbara, CA, EUA), pelo desenvolvimento do diodo emissor de radiação na faixa do azul que proporcionou a criação de iluminação branca mais eficiente.
No site ali tem dois PDFs para leigos e para quem é um pouco mais da área.
O grande passo no desenvolvimento do LED azul foi a fabricação dos semicondutres denominados nitretos (especialmente GaN, Nitreto de Gálio) que possuem uma energia de gap bastante alta em comparação aos semicondutores utilizados para optoeletrônica até então. Diodo já era uma tecnologia dominada há algum tempo para fabricação de LEDs em outra faixa de cores, mas faltava uma pesquisa em materiais para encontrar este semicondutor com gap direto capaz de gerar fótons acima de 2/2.5eV de forma eficiente.
Nitretos foram tão revolucionários que hoje em dia muita pesquisa tem sido direcionada toda em cima destes materiais em detrimento dos materiais convencionais (GaAs, Si, etc), pois outros compostos como AlN (nitreto de alumínio), InN (Nitreto de índio), conseguem incorporar faixas de energia de gap similares aos desses materiais.
O prêmio foi entregue para Isamu Akasaki (Meijo University, Nagoya, Japão e Nagoya University, Japão), Hiroshi Amano (Nagoya University, Japão) e Shuji Nakamura (University of California, Santa Barbara, CA, EUA), pelo desenvolvimento do diodo emissor de radiação na faixa do azul que proporcionou a criação de iluminação branca mais eficiente.
No site ali tem dois PDFs para leigos e para quem é um pouco mais da área.
O grande passo no desenvolvimento do LED azul foi a fabricação dos semicondutres denominados nitretos (especialmente GaN, Nitreto de Gálio) que possuem uma energia de gap bastante alta em comparação aos semicondutores utilizados para optoeletrônica até então. Diodo já era uma tecnologia dominada há algum tempo para fabricação de LEDs em outra faixa de cores, mas faltava uma pesquisa em materiais para encontrar este semicondutor com gap direto capaz de gerar fótons acima de 2/2.5eV de forma eficiente.
Nitretos foram tão revolucionários que hoje em dia muita pesquisa tem sido direcionada toda em cima destes materiais em detrimento dos materiais convencionais (GaAs, Si, etc), pois outros compostos como AlN (nitreto de alumínio), InN (Nitreto de índio), conseguem incorporar faixas de energia de gap similares aos desses materiais.